DRAM優(yōu)化的高端存儲(chǔ)能否將全閃存挑下馬來(lái)?

作者： 揚(yáng)興科技 日期：2019-01-28 瀏覽量：

  閃存存儲(chǔ)在性能功耗體積等方面相對(duì)磁盤(pán)存儲(chǔ)有很大優(yōu)勢(shì)，在價(jià)格趨勢(shì)趨近于磁盤(pán)存儲(chǔ)的發(fā)展趨勢(shì)下，閃存存儲(chǔ)飛速發(fā)展，這一趨勢(shì)持續(xù)了幾年，直到現(xiàn)在，閃存比磁盤(pán)存儲(chǔ)的價(jià)格高了8倍之多，從多方預(yù)測(cè)的價(jià)格趨勢(shì)上來(lái)看，從實(shí)際看到的價(jià)格變化來(lái)看，兩者的比例趨于平穩(wěn)。

  近年來(lái)，隨著3D NAND，以及MLC、TLC甚至QLC技術(shù)的推出，工藝水平的提高，單個(gè)晶元中能產(chǎn)出更多的NAND芯片空間，閃存的價(jià)格不斷下降。

  性能方面的優(yōu)勢(shì)是閃存最誘人的地方，在閃存加速，在對(duì)IOPS、時(shí)延比較敏感的存儲(chǔ)場(chǎng)景中，閃存得到了大范圍采用，但成本限制了其進(jìn)一步擴(kuò)張。

  所以，1.5 rpm的高性能磁盤(pán)就非常尷尬了，它是最先被閃存存儲(chǔ)取代的部分，緊隨其后的萬(wàn)轉(zhuǎn)磁盤(pán)也面臨著SSD的侵蝕。

  大容量的近線(xiàn)磁盤(pán)會(huì)不會(huì)好點(diǎn)呢?

  SSD容量的增速完全不遵守磁盤(pán)的發(fā)展規(guī)律，小到128GB大到15TB甚至更高的都有，存儲(chǔ)密度非常的高，不過(guò)市面上最大的磁盤(pán)才14TB，相比之下，領(lǐng)后者非常汗顏。

  希捷的Roadmap中提到幾年后的磁盤(pán)也會(huì)做到40TB，單位容量的價(jià)格也會(huì)越來(lái)越低，閃存取代磁盤(pán)之路走的看起來(lái)并沒(méi)有想象中的那么順利。

  Gartner研究結(jié)果顯示：閃存取代磁盤(pán)也并不現(xiàn)實(shí)。

  如圖所示，2014年的SSD價(jià)格大約0.8美元/GB，2021年預(yù)計(jì)降到0.10美元/GB，磁盤(pán)價(jià)格下降速度明顯比較緩慢。

  綠線(xiàn)顯示的是SSD和HDD價(jià)格差的比率，兩者穩(wěn)定的維持在85%-90%左右，這一趨勢(shì)到2021年也不會(huì)有大的變化。

  只要磁盤(pán)的容量能繼續(xù)保持足夠快的增速，那么相比于SSD的單位容量的價(jià)格優(yōu)勢(shì)就會(huì)繼續(xù)保持。

  下面兩張圖做了一個(gè)計(jì)算，1000美元的SSD和100美元的磁盤(pán)開(kāi)始，每年價(jià)格都降低30%，價(jià)格曲線(xiàn)如下圖所示：

  如果把縱軸改為對(duì)數(shù)刻度，那么這變化曲線(xiàn)之間的變化關(guān)系就更為明顯了。

  這也在說(shuō)明，磁盤(pán)相對(duì)SSD的價(jià)格優(yōu)勢(shì)并沒(méi)有想象中那么大，以相近的價(jià)格變化趨勢(shì)來(lái)預(yù)測(cè)取代的結(jié)果，理論上是不成立的。

  如果相信會(huì)以無(wú)可爭(zhēng)議的趨勢(shì)快速SSD取代磁盤(pán)，那么我們也可以相信基于SSD的全閃存陣列會(huì)取代原來(lái)的基于磁盤(pán)的磁盤(pán)陣列。

  Infinidat劍走偏鋒，不做基于SSD的全閃存陣列，而是堅(jiān)持使用二級(jí)閃存緩存的磁盤(pán)陣列，性能全靠速度更快，穩(wěn)定性更好的DRAM緩存來(lái)實(shí)現(xiàn)，Infinidat宣稱(chēng)其DRAM緩存的讀命中率達(dá)到90%。

  所有人都認(rèn)可全閃存陣列能秒殺磁盤(pán)陣列，但I(xiàn)nfinidat則堅(jiān)信DRAM緩存增強(qiáng)的磁盤(pán)系統(tǒng)性能會(huì)更好，更重要的是，價(jià)格比全閃存陣列便宜。

  什么，DRAM的系統(tǒng)比全閃存的系統(tǒng)便宜?是的，不過(guò)，這個(gè)是有前提條件的。Infinidat說(shuō)的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)在大容量1PB對(duì)比下才能體現(xiàn)出來(lái)的。

  Infinidat劍走偏鋒的底氣來(lái)自于在DRAM緩存方面的優(yōu)勢(shì)，眾所周知，從磁盤(pán)存儲(chǔ)陣列到全閃存陣列的變動(dòng)其實(shí)挺大的，不只是換介質(zhì)這么簡(jiǎn)單，在系統(tǒng)軟硬件的架構(gòu)層面都需要做很大改變，面對(duì)全閃存系統(tǒng)的沖擊，傳統(tǒng)磁盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)廠(chǎng)商壓力巨大。

  DELL EMC(VMAX)、IBM(DS8000)和日立Vantara(USP)的高端陣列自然首當(dāng)其中，Infinidat的創(chuàng)始人是被譽(yù)為高端存儲(chǔ)之父的Moshe Yanai，Moshe Yanai是著名的EMC Symmetrix和IBM XIV的發(fā)明人和研制者，這兩大高端存儲(chǔ)產(chǎn)品是EMC和IBM存儲(chǔ)的非常核心的產(chǎn)品，可以說(shuō)Moshe Yanai本人對(duì)于傳統(tǒng)磁盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)的理解非一般人能及。

  Moshe Yanai的新公司Infinidat用DRAM緩存技術(shù)來(lái)改造磁盤(pán)存儲(chǔ)的做法自然非常值得期待，能充分利用上原來(lái)在磁盤(pán)系統(tǒng)中積累的優(yōu)勢(shì)，這一做法能否被別的高端存儲(chǔ)廠(chǎng)商看好呢?

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