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SiTime融合MEMS技術(shù)和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品SiT1576

作者: 揚(yáng)興晶振 日期:2018-12-12 瀏覽量:
  SiTime的TempFlat MEMS?技術(shù)和混合信號(hào)設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)使得1.2mm2芯片規(guī)模封裝中的第一臺(tái)功率TCXO成為可能——這是世界上最小的封裝。典型的核心電源電流在100kHz時(shí)只有6.0μA。與標(biāo)準(zhǔn)振蕩器不同,SiT1576超級(jí)TCXO是在1Hz和2.5MHz之間工廠可編程的。這種獨(dú)特的,超小型的TCXO以其廣泛的頻率范圍實(shí)現(xiàn)了新的體系結(jié)構(gòu)選項(xiàng)。SiT1576是在多個(gè)溫度點(diǎn)上工廠校準(zhǔn)的,以保證非常緊密的頻率穩(wěn)定性,低至±5ppm(初始溫度及過溫度)。
SiTime融合MEMS技術(shù)和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品SiT1576

  頻率:1Hz至2.5MHz

  頻率穩(wěn)定性(ppm):±5,±20

  工作溫度范圍(°C):-20至+70,-40至+85

  振蕩器類型:Hz-MHz TCXO型振蕩器

  輸出類型:LVCMOS

  包類型(mm):1.5x0.8

  特色:低抖動(dòng)

  電壓(V):1.62至3.63

  SIT1576特色與效益

  工廠可編程頻率:1Hz至2.5MHz

  針對(duì)低功耗架構(gòu)方案進(jìn)行優(yōu)化

  超低功率:33kHz時(shí)4.5A(典型),100kHz時(shí)6.0A(典型)。

  使電池壽命最大化

  芯片規(guī)模(CSP)的最小占地面積:1.5×0.8mm

  節(jié)省板空間

  ±5ppm全包含頻率穩(wěn)定性

  改進(jìn)的本地計(jì)時(shí)和改進(jìn)的系統(tǒng)能力,減少對(duì)移動(dòng)和可穿戴設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)計(jì)時(shí)更新的依賴

  內(nèi)部VDD電源濾波

  消除外部VDD旁路電容器,保持超小占地面積

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