設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)

作者： 揚(yáng)興晶振 日期：2021-09-27 瀏覽量：

  在設(shè)計(jì)晶體振蕩器回路時(shí)，我們應(yīng)當(dāng)注意以下三點(diǎn)

1、激勵(lì)功率

  激勵(lì)功率說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：

  激勵(lì)功率 ( P)= i 2 ? Re

  其中 i 表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re 表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R 1 (1+Co/C L ) 如果激勵(lì)功率 (P)超出指定范圍，振蕩頻率就會(huì)漂移。這是因?yàn)橐粋€(gè)超過(guò)指定范圍的輸入驅(qū)動(dòng)會(huì)在晶體上引發(fā)應(yīng)力，導(dǎo)致溫度上升。

  如果在該晶體單元上施加過(guò)量的功率驅(qū)動(dòng)力，可能損壞或破壞產(chǎn)品的特性。

  2 振蕩補(bǔ)償

  除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)電阻，否則可能增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

  3 負(fù)載電容

  如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式

  C L C G × C D / (C G +C D ) +C S 。

  其中 CS 表示電路的浮游電容。

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