關(guān)于晶體諧振器的晶振術(shù)語(yǔ)解說

作者： 揚(yáng)興晶振 日期：2021-09-27 瀏覽量：

  晶體諧振器(MHz 帶晶體諧振器)

  石英材料利用溫度特性良好的厚度切變振動(dòng)的諧振器。產(chǎn)生頻率的作用，具有穩(wěn)定、抗干擾性能良好的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。

  下面是關(guān)于晶體諧振器的術(shù)語(yǔ)解說

  1. 基波晶體諧振器：設(shè)計(jì)為以規(guī)定的振動(dòng)模式振蕩最低諧波次數(shù)(1st)的晶體諧振器

  2. 諧波晶體諧振器：設(shè)計(jì)為已高次(3rd、5th、7th)振動(dòng)模式振蕩的晶體諧振器

  3. 諧波次數(shù)：按規(guī)定的振動(dòng)模式，已基波振動(dòng)為1，對(duì)存在的諧波振動(dòng)依次增大的整數(shù)

  4. 振動(dòng)模式：由切割角度等決定的晶體片的機(jī)械振動(dòng)姿態(tài)，存在厚度切變振動(dòng)以及彎曲振動(dòng)等

  5. 公稱頻率：晶體諧振器中信頻率的公稱值

  6. 負(fù)載電容：值的是決定晶體的共振頻率的實(shí)質(zhì)外部電容，如果該值小，容易收到電路一側(cè)變化的影響，從而導(dǎo)致頻率穩(wěn)定度惡化

  7. 激勵(lì)電平：是晶體諧振器的負(fù)載條件，按照施加在晶體片上的電流或電力規(guī)定，若將電流設(shè)為I、串聯(lián)電阻設(shè)為R1，則電力P通過P=I2·R1表達(dá)

  8. 串聯(lián)電阻：串聯(lián)共振頻率下的晶體諧振器的電阻值

  9. 頻率公差：是與常溫(25℃)下公稱頻率之間的偏差，按百萬(wàn)分率（x10^-6）表達(dá)

  10. 頻率溫度特性：是百萬(wàn)分率（x10^-6）表達(dá)與標(biāo)準(zhǔn)溫度下頻率之間的偏差時(shí)，運(yùn)行溫度范圍內(nèi)的最大值

  11. 頻率長(zhǎng)期老化：在規(guī)定的條件下運(yùn)行晶體諧振器，當(dāng)時(shí)間經(jīng)過時(shí)的頻率變化量

  12. 運(yùn)行溫度范圍：晶體諧振器在規(guī)定的公差內(nèi)運(yùn)行的溫度范圍

  13. 保存溫度范圍：可以確保不會(huì)導(dǎo)致單個(gè)晶體諧振器性能老化以及損傷的情況下保存的溫度范圍

  14. 頂點(diǎn)溫度：描繪2次曲線的頻率——溫度特性的頂點(diǎn)部分溫度。如果此溫度位于常用范圍，則可以期待穩(wěn)定的運(yùn)行

  15. 二次溫度系數(shù)：表達(dá)頻率——溫度特性的2次曲線溫度系數(shù)

  16. 引線成型類型：對(duì)晶體諧振器的引線進(jìn)行彎曲加工后的類型

  17. 圓筒類型：圓筒狀結(jié)構(gòu)的晶體諧振器，一般值得是khz帶諧振器的形狀

  18. 晶體諧振器的等效電路：在晶體諧振器的共振點(diǎn)附近，通過將諧振器的端子間電容(Co)與串聯(lián)電感(L₁)、串聯(lián)電容(C₁)、串聯(lián)諧振器的尺寸越小，R₁和L₂的平均值就越大

  以上是晶體諧振器專業(yè)術(shù)語(yǔ)解讀，揚(yáng)興科技20年行業(yè)專業(yè)工程師為您答疑解惑。

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