1.標(biāo)稱頻率
指正常匹配振蕩電路下,振蕩電路輸出的頻率值。表示為MHz或KHz。
2.調(diào)整頻差
指標(biāo)稱頻率在一定溫度(25℃)下的允許偏差,表示為百萬分之幾(ppm)。
3.溫度頻差
指標(biāo)稱頻率在工作溫度范圍內(nèi)的允許偏差。
4.工作溫度范圍
石英晶體元器件在規(guī)定的誤差內(nèi)工作的溫度范圍。
5.儲(chǔ)存溫度范圍
晶體在非工作狀態(tài)下保持標(biāo)準(zhǔn)特性的溫度范圍。
6.負(fù)載電容
①任何外部電容一旦與石英晶體元器件串聯(lián),即會(huì)成為其諧振頻率一個(gè)決定因素。
負(fù)載電容變化時(shí),頻率也會(huì)隨之改變。因此,在電路中使用時(shí),經(jīng)常會(huì)以標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容來微調(diào)頻率至期望值。
②負(fù)載電容系列有:8pf、10pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。
③CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+CsCg和Cd為晶體兩管腳所接電容值。Cs為線路,雜散電容值,一般為2~6pf。
7.靜態(tài)電容
主要來自以石英芯片為介電材料與兩個(gè)電極所形成的電容為主,另外一小部分來自連接石英芯片與連接線的導(dǎo)電接著材料之間的電容和封裝外殼的電容。
8.切割方式
依據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域及工作溫度需求,產(chǎn)生了許多不同的石英切割角度種類。例如AT-,BT-,CT-,DT-,NT,GT…..等不同的切割板片。不同的切割方向的板片具有不同的彈性常數(shù)張量,不同的壓電常數(shù)張量及不同的介電常數(shù)張量。溫頻特性與切割角有關(guān),每個(gè)石英晶體具有結(jié)晶軸,晶體切割是按其振動(dòng)模式沿垂直于結(jié)晶軸的角度切割的。
9.振動(dòng)模式
不同的石英切割角度及不同電極形狀的電場效應(yīng),石英芯片展現(xiàn)了各種不同的振動(dòng)模式,以經(jīng)常產(chǎn)生的振動(dòng)模式可以分為彎曲模式,伸縮模式,面切變模式和厚度切變振動(dòng)模式。
10.等效電阻
等效電阻(ESR,Rr,R1),又稱諧振電阻。在規(guī)定條件下,石英晶體諧振器不串聯(lián)負(fù)載電容在諧振頻率時(shí)的電阻。
11.激勵(lì)功率電平
晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。一般來講,AT切晶體激勵(lì)電平的增大,其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩,嚴(yán)重?zé)犷l漂,過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。
12.激勵(lì)電平相關(guān)性
又稱激勵(lì)電平依賴性,為晶體元件諧振電阻隨激勵(lì)電平條件變化的效應(yīng)。當(dāng)加在晶體元件上的激勵(lì)電平改變時(shí),其諧振電阻也隨之變化,該變化在一般情況下有一定規(guī)律,可用兩個(gè)激勵(lì)電平所對應(yīng)的兩個(gè)電阻之比表示,其表達(dá)式為:DLD=Rr1/Rr2(Rr1-為較低激勵(lì)電平時(shí)的電阻,Rr2-為較高激勵(lì)電平時(shí)的電阻)。
13.絕緣電阻
各絕緣引出端之間或引出端與外殼之間的電阻。
14.基頻
在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。
15.泛音
晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。
16.等效電路
石英晶體諧振器的振動(dòng)實(shí)質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng),可以被一個(gè)具有電子轉(zhuǎn)換性能的兩端網(wǎng)絡(luò)測出。這個(gè)回路包括L1、C1,同時(shí)C0作為一個(gè)石英晶體的絕緣體的電容被并入回路,與彈性振動(dòng)有關(guān)的阻抗R1是在諧振頻率時(shí)石英晶體諧振器的諧振阻抗。
17.負(fù)性阻抗
指從石英晶體共振子的二個(gè)端子往振蕩線路看過去,振蕩線路在振蕩頻率時(shí)的阻抗特性值。負(fù)性阻抗并不是石英振蕩子的產(chǎn)品參數(shù),卻是振蕩線路的一項(xiàng)重要特性參數(shù)。為提高振蕩電路中的起振條件,須提高振蕩電路中的負(fù)阻抗,而電路中沒有足夠的負(fù)阻抗偏差,則較難起振。在振蕩電路中負(fù)阻抗的值應(yīng)達(dá)到諧振阻抗的5-10倍。
18.年老化率
以年為衡量單位,在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對變化。頻率變化最大是在晶體頻率組件生產(chǎn)完后的第一個(gè)月,之后頻率隨時(shí)間的變化就會(huì)減少。導(dǎo)致此老化的原因很多,如:密封特性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。
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