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晶振圈專業(yè)名詞解釋,你看看都知道嗎?

作者: 揚(yáng)興晶振 日期:2021-09-27 瀏覽量:
  作為晶振行業(yè)的“圈內(nèi)人”或剛剛進(jìn)入晶振行業(yè)的小白同學(xué)來說,了解晶振的專業(yè)術(shù)語就顯得尤為必要了,今天小編給大家整理一些基本的晶振專業(yè)名詞解釋。

  1.標(biāo)稱頻率

  指正常匹配振蕩電路下,振蕩電路輸出的頻率值。表示為MHz或KHz。

  2.調(diào)整頻差

  指標(biāo)稱頻率在一定溫度(25℃)下的允許偏差,表示為百萬分之幾(ppm)。

  3.溫度頻差

  指標(biāo)稱頻率在工作溫度范圍內(nèi)的允許偏差。

  4.工作溫度范圍

  石英晶體元器件在規(guī)定的誤差內(nèi)工作的溫度范圍。

  5.儲(chǔ)存溫度范圍

  晶體在非工作狀態(tài)下保持標(biāo)準(zhǔn)特性的溫度范圍。

工作溫度范圍


  6.負(fù)載電容

  ①任何外部電容一旦與石英晶體元器件串聯(lián),即會(huì)成為其諧振頻率一個(gè)決定因素。

  負(fù)載電容變化時(shí),頻率也會(huì)隨之改變。因此,在電路中使用時(shí),經(jīng)常會(huì)以標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容來微調(diào)頻率至期望值。

  ②負(fù)載電容系列有:8pf、10pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。

  ③CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+CsCg和Cd為晶體兩管腳所接電容值。Cs為線路,雜散電容值,一般為2~6pf。

  7.靜態(tài)電容

  主要來自以石英芯片為介電材料與兩個(gè)電極所形成的電容為主,另外一小部分來自連接石英芯片與連接線的導(dǎo)電接著材料之間的電容和封裝外殼的電容。

  8.切割方式

  依據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域及工作溫度需求,產(chǎn)生了許多不同的石英切割角度種類。例如AT-,BT-,CT-,DT-,NT,GT…..等不同的切割板片。不同的切割方向的板片具有不同的彈性常數(shù)張量,不同的壓電常數(shù)張量及不同的介電常數(shù)張量。溫頻特性與切割角有關(guān),每個(gè)石英晶體具有結(jié)晶軸,晶體切割是按其振動(dòng)模式沿垂直于結(jié)晶軸的角度切割的。

  9.振動(dòng)模式

  不同的石英切割角度及不同電極形狀的電場效應(yīng),石英芯片展現(xiàn)了各種不同的振動(dòng)模式,以經(jīng)常產(chǎn)生的振動(dòng)模式可以分為彎曲模式,伸縮模式,面切變模式和厚度切變振動(dòng)模式。

振動(dòng)波形


  10.等效電阻

  等效電阻(ESR,Rr,R1),又稱諧振電阻。在規(guī)定條件下,石英晶體諧振器不串聯(lián)負(fù)載電容在諧振頻率時(shí)的電阻。

  11.激勵(lì)功率電平

  晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。一般來講,AT切晶體激勵(lì)電平的增大,其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩,嚴(yán)重?zé)犷l漂,過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。

  12.激勵(lì)電平相關(guān)性

  又稱激勵(lì)電平依賴性,為晶體元件諧振電阻隨激勵(lì)電平條件變化的效應(yīng)。當(dāng)加在晶體元件上的激勵(lì)電平改變時(shí),其諧振電阻也隨之變化,該變化在一般情況下有一定規(guī)律,可用兩個(gè)激勵(lì)電平所對應(yīng)的兩個(gè)電阻之比表示,其表達(dá)式為:DLD=Rr1/Rr2(Rr1-為較低激勵(lì)電平時(shí)的電阻,Rr2-為較高激勵(lì)電平時(shí)的電阻)。

  13.絕緣電阻

  各絕緣引出端之間或引出端與外殼之間的電阻。

  14.基頻

  在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。

  15.泛音

  晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。

石英晶體振蕩器

  16.等效電路

  石英晶體諧振器的振動(dòng)實(shí)質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng),可以被一個(gè)具有電子轉(zhuǎn)換性能的兩端網(wǎng)絡(luò)測出。這個(gè)回路包括L1、C1,同時(shí)C0作為一個(gè)石英晶體的絕緣體的電容被并入回路,與彈性振動(dòng)有關(guān)的阻抗R1是在諧振頻率時(shí)石英晶體諧振器的諧振阻抗。

  17.負(fù)性阻抗

  指從石英晶體共振子的二個(gè)端子往振蕩線路看過去,振蕩線路在振蕩頻率時(shí)的阻抗特性值。負(fù)性阻抗并不是石英振蕩子的產(chǎn)品參數(shù),卻是振蕩線路的一項(xiàng)重要特性參數(shù)。為提高振蕩電路中的起振條件,須提高振蕩電路中的負(fù)阻抗,而電路中沒有足夠的負(fù)阻抗偏差,則較難起振。在振蕩電路中負(fù)阻抗的值應(yīng)達(dá)到諧振阻抗的5-10倍。

  18.年老化率

  以年為衡量單位,在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對變化。頻率變化最大是在晶體頻率組件生產(chǎn)完后的第一個(gè)月,之后頻率隨時(shí)間的變化就會(huì)減少。導(dǎo)致此老化的原因很多,如:密封特性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。

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