趕緊碼上！十種晶體振蕩器電路圖

作者： 揚(yáng)興晶振 日期：2021-09-27 瀏覽量：

  第一種晶體振蕩器電路圖：

  如圖所示，它是一個(gè)簡單的晶體振蕩器電路，由A1的三個(gè)柵極，四個(gè)電阻，調(diào)諧電容器和一個(gè)晶體組成。在圖中，A1和晶體諧振器SJT以及電容器構(gòu)成4069kHz的方波信號。將開關(guān)設(shè)置為1點(diǎn)，然后將其發(fā)送到A2。將A2除以2后，可獲得2048kHz振蕩信號。開關(guān)放置在3點(diǎn)處并發(fā)送到A3。將A2除以2后，即可獲得128kHz振蕩信號。調(diào)諧電容器C1和C2可以將頻率精確地調(diào)諧到中心頻率。晶體SJT連接在A1的輸入和輸出端子之間，以晶體的基頻提供反饋環(huán)路。

  在圖中，A1和晶體諧振器SJT以及電容器構(gòu)成4069kHz的方波信號。將開關(guān)設(shè)置為1點(diǎn)，然后將其發(fā)送到A2。將A2除以2后，可獲得2048kHz振蕩信號。開關(guān)放置在3點(diǎn)處并發(fā)送到A3。將A2除以2后，即可獲得128kHz振蕩信號。調(diào)諧電容器C1和C2可以將頻率精確地調(diào)諧到中心頻率。

  晶體SJT連接在A1的輸入和輸出端子之間，以提供一個(gè)反饋環(huán)路，該反饋環(huán)路會在晶體的基頻上產(chǎn)生振蕩。

  第二種晶體振蕩器電路圖：

  極管TV2執(zhí)行信號放大并且通過電容器C8耦合出。其中，電阻器RI，R2以及電阻器R5，R6和R7是晶體管VT1和VT2的DC偏置元件。L2是高頻扼流圈，可為振蕩管VT1的集電極電流提供直流路徑。C2是隔直電容。C3和C7是交流旁路電容器，因此VT1的發(fā)射極處于交流零電位，但直流電位不為零。電感器L1，電容器C6和電阻器R3是改進(jìn)的電源濾波器電路，其作用是降低紋波電壓以振蕩直流分量。電容器C4和C8可以略微調(diào)節(jié)以改變耦合信號的大小。

  1.組件小號選

  電容器C1為20p，C2為100p，C3和C7為820p，C4為56p，C5和C8為47p，C6為47u / 50V。電感L1為22 uH(色碼電感)，L2為0.3 uH。電阻R1為1.6kΩ，R2為1kΩ，R3為750Ω，R4為180Ω，1W，R5為1.3kΩ，R6為3kΩ，R7為360Ω，R8為470Ω，R9-R12為300Ω，2W。晶體管VT1，VT2選擇3DG82B，65≤β≤115。晶體SJT使用JA9B型-70MHz。繼電器KM是JUC-1M。

  2. 注意事項(xiàng)

  (1)使用石英晶體時(shí)，必須注意一個(gè)實(shí)際問題。這是晶體本身的激發(fā)功率。當(dāng)激勵功率大時(shí)，輸出功率也大。此時(shí)，晶體管引入的噪聲沒有受到很大的影響。但是，過多的晶體激發(fā)功率會降低晶體的長期穩(wěn)定性(老化特性)。當(dāng)晶體激發(fā)功率較小時(shí)，長期穩(wěn)定性良好，但是優(yōu)選使用低噪聲晶體三極管。

  (2)由于晶體頻率受溫度的影響很大，為了確保晶體頻率的穩(wěn)定性，有必要注意晶體的恒溫。將晶體放置在恒溫浴中，并且通過恒溫控制電路維持恒溫浴中的溫度以維持晶體的拐點(diǎn)溫度。因此，為了穩(wěn)定振蕩頻率和振蕩幅度，將晶體SJT和VT1，VT2放置在培養(yǎng)箱中。孵化器由R9-R12的四個(gè)2W金屬膜電阻器加熱，并使用小型密封溫度繼電器KM作為溫度控制元件。盒子內(nèi)部的溫度為+55°C(所用晶體的拐點(diǎn)溫度通常為+60±5°C)。為了減小培養(yǎng)箱的體積，回路中的組件應(yīng)盡可能小。如果包裝箱內(nèi)的溫度高于+55°C，則KM-1.2觸點(diǎn)斷開;如果≤+55°C，則KM-1.2觸點(diǎn)閉合，以確保箱內(nèi)溫度設(shè)置為+55°C。

  第三種晶體振蕩器電路圖：

  該電路在100kHz至5MHz的頻率范圍內(nèi)振蕩。工作特性取決于電源電阻。可以使用微調(diào)電容器來調(diào)節(jié)頻率。輸出電阻很高，其后是源極跟隨器作為隔離器以支持該缺點(diǎn)。

  第四種晶體振蕩器電路圖：

  這個(gè)簡單且便宜的晶體振蕩器由74LS04的兩個(gè)門和外圍組件組成。電路如圖3所示：

  電阻器R1和R2在線性范圍內(nèi)對兩個(gè)反相器F1，F(xiàn)2進(jìn)行偏置，并提供一個(gè)來自晶體SJT的反饋環(huán)路，該環(huán)路在晶體的基頻上產(chǎn)生20MHz的振蕩頻率，然后由反相器F3發(fā)送至74LS74。構(gòu)造的D型觸發(fā)器被分割。要執(zhí)行兩路或四路，八路等操作，您需要遵循2n分頻規(guī)則(n是級數(shù))。n = 1，則分頻為21 = 2，即A1 =分頻電路后為20MHz，Q1輸出10MHz;如果是四分頻，n = 2，則22 = 4的分頻，即20MHz被A1和A2分頻。電路后，Q2輸出5MHz;如果將頻率除以三，則當(dāng)f的第三個(gè)脈沖結(jié)束時(shí)，Q1 = 1，Q2 = 1，則Q1 = 0，Q2 = 0，或者非門HF1的輸出為1，至R端子重置，將Q1和Q2復(fù)位為00。將A1和A2除以3后，Q2輸出約為6.7MHz。如果將頻率除以5，則當(dāng)計(jì)數(shù)為5時(shí)，Q1Q2Q3 = 101，即Q1 = 0。Q3 = 0，或非門HF2的輸出為1，并且Q1，Q2和Q3重置為000。結(jié)果，Q3輸出4MHz頻率。

  顯然，輸出狀態(tài)由D決定，輸出狀態(tài)的翻轉(zhuǎn)由CP控制，CP可以生成適合其需求的各種頻率。

  第五種晶體振蕩器電路圖：

  使用運(yùn)算放大器的晶體振蕩器電路。該電路使用輸出脈沖頻率高達(dá)10MHz的761運(yùn)算放大器。2kΩ電阻用作運(yùn)放輸出級的集電極開路負(fù)載。

  第六種晶體振蕩器電路圖：

  帶有石英晶體振蕩器的無線電電路。該電路頻率可以為27MHz。中頻為455 kHz。為了增加接收功率，此處使用場效應(yīng)晶體管前級。

  第七種晶體振蕩器電路圖：

  頻率高達(dá)2MHz的石英晶體振蕩器電路。圖(a)和(b)顯示了兩個(gè)2MHz振蕩器基本電路。根據(jù)電路結(jié)構(gòu)，可以通過測試調(diào)整來確定最佳工作點(diǎn)。

  第八種晶體振蕩器電路圖：

  場效應(yīng)晶體瞥石英晶體振蕩器電路。該振蕩器以51MHz(17MHz 3次諧波)晶體工作。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，漏極至柵極的電容可以選擇為0.5至1.8 pF。L2參數(shù)約為L1的20%?？梢酝ㄟ^470Ω的源電阻來改變振蕩特性。

  第九種晶體振蕩器電路圖：

  使用NAND門的30MHs石英晶體振蕩器電路。該電路由TTL集成電路(745000)組成。使用石英晶體頻率的三次諧波操作。精確選擇47pF電容器(10-100pF)可以保證振蕩性能。輸出電壓約為3.5V(峰峰值)。

  第十種晶體振蕩器電路圖：

  使用與非門的石英晶體振蕩器電路。該電路使用兩個(gè)7400TTL NAND門，其振蕩頻率高達(dá)10MHz。必須小心地將兩個(gè)820Ω電阻調(diào)諧到選定的振蕩頻率。

  以上是小揚(yáng)簡單整理的10種晶體振蕩器電路圖，對于不同類型的晶振電路圖有不同的接法;如果您遇到以上這些電路問題可以進(jìn)行參考，不了解的地方歡迎登陸YXC揚(yáng)興官網(wǎng)在線咨詢客服，我們會安排技術(shù)工程師為您解答!

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