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晶振、電容和電阻之間的關(guān)系?

作者: 揚(yáng)興科技 日期:2021-09-18 瀏覽量:

  晶振和電容的關(guān)系


  大家都知道電容的基本作用就是充電和放電,那么在晶振下的負(fù)載電容,又跟晶振是怎樣的關(guān)系呢?


  晶振的匹配電容,我們也稱負(fù)載電容,負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部有效電容之和,晶振所需要外接的電容,也是使晶振兩端的等效電容(電路之間的分布電容)等于負(fù)載電容,負(fù)載就是晶振起振的電容,這時(shí)候電容的作用就很明顯了,充電,晶振起振。負(fù)載電容很重要,決定著晶振是否可以在產(chǎn)品中正常起振工作。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《晶振該如何選用電容》)


  如果工程師在選購晶振時(shí),最好把所需的負(fù)載電容等重要參數(shù),也跟采購說明;那么采購在晶振選型過程中,會(huì)減少很多選型彎路。晶振的負(fù)載不能確認(rèn)的話,電容很難匹配,起振電容無法充電放電,晶振也就起振不了;當(dāng)分布電容與晶振電容值是相等時(shí),就可以讓晶振發(fā)出諧振頻率了。電容大小能影響晶振頻率的穩(wěn)定度和相位,越小價(jià)格也會(huì)越高。所以這個(gè)負(fù)載還決定著這個(gè)其晶振本身的一個(gè)價(jià)格。


晶振與負(fù)載電容


  晶振和電阻的關(guān)系


  1、配合IC內(nèi)部電路組成負(fù)反饋、移相,使放大器工作在線性區(qū)


  晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負(fù)反饋,保證放大器工作在高增益的線性區(qū),同時(shí)起到限流的作用,防止反向器輸出對晶振過驅(qū)動(dòng),損壞晶振。這個(gè)電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)是沒有增益的, 而沒有增益是無法振蕩的. 如果用芯片中的反相器來作振蕩, 必須外接這個(gè)電阻, 對于CMOS而言可以是1M以上, 對于TTL則比較復(fù)雜, 視不同類型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引腳, 如在某些微處理器中, 常??梢圆患? 因?yàn)樾酒瑑?nèi)部已經(jīng)制作了。


  2、晶振串聯(lián)的電阻常用來預(yù)防晶振被過分驅(qū)動(dòng);


  晶振過分驅(qū)動(dòng)的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍,這將引起頻率的上升,并導(dǎo)致晶振的早期失效,又可以講drive level調(diào)整用。用來調(diào)整drive level和發(fā)振余裕度。


  3、并聯(lián)降低諧振阻抗,使諧振器易啟動(dòng);


  Xin和Xout的內(nèi)部一般是一個(gè)施密特反相器,反相器是不能驅(qū)動(dòng)晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯(lián)一個(gè)電阻,由電阻完成將輸出的信號(hào)反向180度反饋到輸入端形成負(fù)反饋,構(gòu)成負(fù)反饋放大電路.晶體并在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是并聯(lián)關(guān)系,并聯(lián)降低諧振阻抗,使諧振器易啟動(dòng);


  電阻的作用是將電路內(nèi)部的反向器加一個(gè)反饋回路,形成放大器,當(dāng)晶體并在其中會(huì)使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振,由于晶體的Q值非常高,因此電阻在很大的范圍變化都不會(huì)影響輸出頻率。


晶振與電阻

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