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可編程晶振調(diào)整頻率怎么弄呢?
可編程晶振調(diào)整頻率怎么弄呢?
作者: 揚(yáng)興科技
日期:2024-03-12
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對于可編程晶振調(diào)整頻率可以直接使用說明進(jìn)行操作。晶體振蕩器單元的實(shí)際驅(qū)動電平在驅(qū)動電平規(guī)格內(nèi)。晶振作為電子產(chǎn)品中的必需品,廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域,存在各種問題,如晶振異常振蕩頻率、晶振異常振蕩頻率包括無頻率信號號輸出以及實(shí)際振蕩頻率與標(biāo)稱頻率的差異等。
過高的驅(qū)動電平可能導(dǎo)致更高的振蕩頻率或更大的R1。如何衡量駕駛水平如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中規(guī)定的負(fù)載電容不同,實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標(biāo)稱頻率不同。這個頻率差可以通過以下措施來調(diào)整:
電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF。因此,使用8pF作為負(fù)載電容會改變指定的30MHz應(yīng)時晶體振蕩器單元。通過這種改變,實(shí)際振蕩頻率由30MHz降低到5ppm,頻率差可以調(diào)節(jié),這些方面都是根據(jù)自己的需求進(jìn)行選擇。
晶體單元的實(shí)際驅(qū)動電平超過其指定的最大值。重要的是,壓電應(yīng)時晶振單元的實(shí)際驅(qū)動水平在驅(qū)動水平規(guī)格內(nèi)。過高的驅(qū)動電平可能導(dǎo)致更高的振蕩頻率或更大的R1。請參考下面如何衡量駕駛水平:如果要降低驅(qū)動級別,可以采取以下措施:
1、改變阻尼電阻:
通過改變阻尼電阻,反相放大器的輸出幅度衰減,實(shí)際驅(qū)動電平變低。通過這種變化,振蕩幅度會減小。因此,最好檢查振蕩裕量是否超過5倍。此外,應(yīng)注意不要使振蕩幅度過小。
2、改變外部負(fù)載電容:
通過改變外部負(fù)載電容,由于振蕩電路的高阻抗,實(shí)際驅(qū)動電平變低。在這種情況下,由于負(fù)載電容較小,應(yīng)時晶振的實(shí)際振蕩頻率變高。因此,最好檢查實(shí)際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內(nèi)。
晶體單元的振蕩頻率根據(jù)其規(guī)格中規(guī)定的負(fù)載電容進(jìn)行分類。因此,如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中規(guī)定的負(fù)載電容不同,實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標(biāo)稱頻率不同。這個頻率差可以通過以下措施來調(diào)整:
調(diào)整外部負(fù)載電容。為了改變外部負(fù)載電容,實(shí)際振蕩頻率變低。如果外部負(fù)載電容較大,請注意振蕩裕量會較低。外部負(fù)載電容較大時,振蕩幅度可能很小。更換不同負(fù)載電容的晶振單元。為了應(yīng)用負(fù)載電容大的晶胞,實(shí)際振蕩頻率變高。比如:需要30MHz的頻率,用一個指定頻率為30MHz的晶振單元作為負(fù)載電容,額定頻率為6pF。確認(rèn)實(shí)際振蕩從30MHz低至30ppm。振蕩電路可能無法在晶體單元的標(biāo)稱頻率附近工作,這被稱為“不規(guī)則振蕩”,然后根據(jù)相關(guān)的說明操作即可。
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