亚洲日韩欧美一区二区三区,japanese日本护士booloo,中国XXXXXL17免费,男女差差差差差很痛30分钟

中文 / ENGLISH

0755-28444777
176 6539 4502

直播回顧|你是否也遇到類似的晶振問題？

作者：揚興晶振日期：2019-11-21 瀏覽量：

在上周五我們做了一次晶振產(chǎn)品直播交流會，結(jié)束后很多小伙伴高呼，信息量太大，筆記沒做全，怎么辦??直播時沒做好筆記的小伙伴有福啦;今天小揚整理好一些問答，現(xiàn)在給大家分享一下。

5G通訊領(lǐng)域常用晶振頻點

根據(jù)調(diào)查，一些領(lǐng)域如WIFI 之前用的頻率比較低，5G推行后配頻速度比較高，可能會用到無源基頻80MHZ，主芯片會用到美滿的，還有一個無源基頻96MHZ，這些我們都可以提供，尺寸可以做到2016甚至以下。

5G通訊領(lǐng)域常用晶振頻點

5G也離不開基站與高端的通訊類，所涉及的頻點會有：52M 76.8M 61.44M 122.88M，再高頻的話會有245.76M、200M以上都會用到，主要有源晶振、溫補、溫補帶壓控會比較多，尺寸偏小為主(2520 1612 1210 2016)

小編整理了小伙伴們提出的問題，我們一起來復(fù)習(xí)一下這些知識點吧~

Q1、有源有做哪些頻點?

有源晶振的頻點可以做到1-200mhz

Q2、MEMS晶振有哪些優(yōu)缺點

1. 集成化

可采用多種集成方法將MEMS振蕩器與微電子電路集成，制作成單芯片、單諧振器或多諧振器的集成器件，實現(xiàn)多頻率輸出

2.頻率范圍

MEMS振蕩器通過合理的諧振結(jié)構(gòu)或參數(shù)設(shè)計，頻率范圍可以達(dá)到GHz

3.環(huán)境適應(yīng)性

MEMS振蕩器對沖擊、振動的耐受能力極大，可承受的沖擊可達(dá)50000G以上

4. 體積

MEMS振蕩器采用了半導(dǎo)體加工工藝，體積可以減小到目前器件的1/10;因此在小型化發(fā)展方面MEMS振蕩器更具備優(yōu)勢。

Q3、可編程晶振是否有壽命限制

沒有

Q4、黑色的晶振和金屬殼有區(qū)別嗎

功能上面有差異的

黑色面，也就是我們所說的硅晶振，做的時間比較長，整個技術(shù)是有優(yōu)化的，基本是可以完全通用，之前大家的認(rèn)知是可編程他的抖動值會比較偏高，可能用在通訊領(lǐng)域上面會不行，但現(xiàn)在不一樣了，現(xiàn)在應(yīng)用的領(lǐng)域非常廣，不會因為抖動的問題影響使用，所以可以完全代替石英這塊，硅的結(jié)構(gòu)用MEMS跟我們傳統(tǒng)的石英有很大的差異，硅的優(yōu)勢在防腐蝕、抗震能力這塊比較強，石英里有晶片，所以抗摔會稍差，但以現(xiàn)在的技術(shù)來說，這種問題是非常少的。

Q5、可編程的抖動性能和定頻的性能有差異嗎?

是有一些差異的，以SITIME的產(chǎn)品來說，基本不用怎么去問他的應(yīng)用，因為他已經(jīng)補缺掉這個弊端，但是不能絕對說某些高端的一些通訊上面他能不能滿足，還是有一定的風(fēng)險，那如果是石英的話，相對說他的抖動，確實是會低，這也是石英的一個優(yōu)勢。

Q6、國產(chǎn)晶振和國外比較好的晶振在抖動方面有什么差異?雖說都是20ppm、10ppm，感覺在高速版上表現(xiàn)還是有些差別?

無源晶振的抖動取決于IC,10PPM\20PPM就要按電路匹配

Q7、溫補和壓控晶振有什么區(qū)別?

溫補是指溫度控制、壓控是指電壓控制

Q8、32.768k 對地電容10pf，推薦多大負(fù)載電容?

可登錄官網(wǎng)輸入?yún)?shù)直接換算 http://www.52xiuse.com/instance/4/

計算公式：晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C;式中Cd、Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容;Cic(集成電路內(nèi)部電容);△C(PCB上電容)一般為3至5pf。

Q9、如何提高負(fù)阻抗?

減小電容，做好電路匹配

Q10、功耗要求高，晶振是不是對內(nèi)阻有要求